Sandisk запускает производство новой памяти HBF в Японии к 2027 году

Компания Sandisk приступила к созданию пилотной линии по производству инновационной твердотельной памяти HBF в Японии, с целью запуска массового выпуска к 2027 году.

• Sandisk строит экспериментальную линию в Японии для памяти HBF.
• Первые образцы HBF ожидаются до конца 2024 года.
• Промышленный выпуск планируется с 2027 года.
• Технология HBF предусматривает вертикальную компоновку памяти по примеру HBM.
• Поддержка в стандартизации HBF от SK hynix, конкуренция с китайскими производителями и Samsung.
• HBF превосходит HBM по ёмкости до 16 раз, обеспечивая до 512 Гбайт в 16-ярусном стеке.
• Ожидается рост спроса на HBF к 2030 году из-за развития ИИ-инференса.

Технологические особенности и планы Sandisk

Sandisk, один из ведущих разработчиков новой памяти HBF, уже начал поиск необходимых материалов, компонентов и оборудования для запуска производства. Экспериментальная линия может быть введена в эксплуатацию в Японии уже в первом полугодии 2024 года. Это позволит компании получить первые образцы памяти HBF до конца текущего года и ускорить промышленный выпуск на полгода по сравнению с ранее заявленными сроками.

HBF (Hybrid Bit Flash) представляет собой новый тип NAND-памяти с вертикальной структурой, вдохновлённой технологией HBM (High Bandwidth Memory). Для производства HBF ланируется использовать часть оборудования и технологий, применяемых в производстве HBM, что значительно облегчит процесс внедрения и снизит риски с поставками.

Конкуренция и перспективы рынка памяти HBF

На рынке HBF ожидается серьезная конкуренция. Помимо Sandisk, производство такой памяти готовят китайские компании. В вопросах стандартизации и развития технологии Sandisk поддерживает SK hynix, а Samsung Electronics ведёт собственные разработки HBF, однако пока без конкретных заявлений о сроках выхода продукции на рынок.

Главным преимуществом HBF является высокая ёмкость по сравнению с HBM — до 512 Гбайт в одном 16-ярусном стеке. Для систем с графическими процессорами, оснащёнными восемью такими стеками, общий объём памяти может достигать 4 Тбайт. Это особенно актуально для задач искусственного интеллекта, где требуется быстрое хранение и обработка больших объёмов данных при инференсе.