Американская компания NEO Semiconductor сообщила о создании прототипа 3D X-DRAM, который может значительно изменить ситуацию на рынке оперативной памяти. Разработка уже привлекла внимание инвесторов и производителей, что открывает новые горизонты для стекового размещения ячеек ОЗУ.
- Создан прототип 3D X-DRAM.
- Компания привлекла значимых инвесторов, включая Стэна Ши.
- Сотрудничество с тайваньскими университетами для тестирования.
- Показатели задержки чтения/записи менее 10 с.
- Плотность записи 512 Гбит на кристалл.
Потенциал 3D X-DRAM
Стековая компоновка памяти DRAM, предложенная NEO Semiconductor, предполагает использование широкой шины данных в 32 000 бит. Это позволит достичь пропускной способности, в 16 раз превышающей современную HBM, что может значительно увеличить плотность хранения данных. Ожидается, что новые технологии появятся на рынке гораздо раньше, чем аналогичные разработки от HBM.
Инвестиции и сотрудничество
Успешное привлечение инвестиций от Стэна Ши, основателя Acer и бывшего главы TSMC, подтвердило доверие к разработкам NEO Semiconductor. Также компания активно сотрудничает с Национальным университетом Янмин Цзяотун и Тайваньским научно-исследовательским институтом полупроводников, что позволяет проводить высококачественные тестирования. Результаты показывают, что время регенерации при 85 °C составляет более 1 секунды, что в 15 раз лучше стандартов JEDEC.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Задержка чтения/записи | <10 нс |
| Время регенерации (85 °C) | Более 1 секунды |
| Устойчивость к износу | 10¹⁴ |
Разработка 3D X-DRAM от NEO Semiconductor может стать ключевым шагом к решению проблемы дефицита оперативной памяти, открывая новые возможности для технологий хранения данных в ближайшем будущем.